2月26日讯，据国内媒体报道，国产首枚DDR4内存现已面世。在长鑫存储的官方网站上，目前已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，全部产品都符合国际通行标准规范。
对于国产软硬件，国内的科技爱好者一直是非常关注的，从硬盘、处理器再到系统，国产厂商一直都在力求突破自我。到了今天，国产芯片终于是打破了海外的垄断，拥有了真正自己架构，真正属于自己的内存。
据介绍，长鑫生产的DDR4内存芯片，可以匹配主流PC市场需求。它支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障。在规格方面，长鑫DDR4内存芯片有两款可以选择，单颗容量为8Gb(1GB)，频率2666MHz，电压，工作温度0℃至95℃，提供78ball、96ball FBGA两种封装样式。
长鑫同样提供了面向笔记本的LPDDR4X内存芯片，号称其可以匹配主流笔电需求，高速低功耗，可提供更高的续航能力、更低的功耗设计、稳定流畅的体验。在规格方面，长鑫LPDDR4X同样有两种规格可供选择，分别是单颗容量2GB和4GB，频率3733MHz，工作电压、、，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。
成品的DDR4内存条自然也是有的，长鑫DDR4内存条将采用了自家的原厂内存颗粒，自主开发设计，容量为8GB，DDR4 2666频率，笔记本和PC版本都有。
长鑫存储有限公司的事业于2016年在安徽合肥启动，公司主要专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，是国内规模最大、技术最先进的DRAM设计制造一体化企业。
在去年底，长鑫存储与加拿大Wi-LAN Inc.旗下全资子公司Polaris Innovations Limited达成了合作，成功获得原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利许可和专利采购权。依据独立的专利采购协议，长鑫存储从Polaris购得了相当数量的DRAM专利。
长鑫存储科技有限公司通过自主研发结合专利购买，成功开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存，目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并将使用同样的技术在2020年生产LPDDR4X内存。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。
目前长鑫官网现已开启产品的相关咨询，预计不久后将上架。
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